उत्पाद विवरण
विशेष मोलिब्डेनम लक्ष्यउच्च शुद्धता वाली स्पटरिंग सामग्रियां विशेष रूप से सेमीकंडक्टर, डिस्प्ले, फोटोवोल्टिक और इलेक्ट्रॉनिक उद्योगों में उन्नत पतली फिल्म जमाव अनुप्रयोगों के लिए इंजीनियर की गई हैं। प्रीमियम मोलिब्डेनम कच्चे माल से निर्मित और उन्नत पाउडर धातु विज्ञान, फोर्जिंग, रोलिंग और सटीक मशीनिंग प्रौद्योगिकियों के माध्यम से संसाधित, हमारे मोलिब्डेनम लक्ष्य उत्कृष्ट घनत्व, समान अनाज संरचना और बेहतर स्पटरिंग प्रदर्शन प्रदान करते हैं। उच्च पिघलने बिंदु (2623 डिग्री), उत्कृष्ट थर्मल चालकता, कम थर्मल विस्तार गुणांक और उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध के साथ, ये लक्ष्य स्थिर जमाव दर, विस्तारित लक्ष्य जीवन और स्पटरिंग प्रक्रिया के दौरान लगातार फिल्म की गुणवत्ता सुनिश्चित करते हैं। उच्च शुद्धता और सजातीय सूक्ष्म संरचना कण उत्पादन को कम करने, फिल्म की एकरूपता में सुधार करने और वैक्यूम कोटिंग वातावरण की मांग में उत्पादन दक्षता बढ़ाने में मदद करती है।
उत्पाद सुविधाएँ
· पवित्रता
विशेष मोलिब्डेनम लक्ष्य के लिए उच्च शुद्धता एक बुनियादी विशेषता आवश्यकता है। मोलिब्डेनम लक्ष्य शुद्धता बढ़ने के साथ स्पटर फिल्म के प्रदर्शन में सुधार होता है। साधारण मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य की शुद्धता कम से कम 99.95% (द्रव्यमान अंश, नीचे समान) होनी चाहिए। हालाँकि, जैसे-जैसे एलसीडी उद्योग में ग्लास सबस्ट्रेट्स का आकार बढ़ता जा रहा है, तारों की लंबाई बढ़ाने और लाइन की चौड़ाई को पतला करने की आवश्यकता होती है। फिल्म की एकरूपता और वायरिंग की गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए, मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्यों के लिए शुद्धता आवश्यकताओं को भी तदनुसार बढ़ाया गया है। इसलिए, स्पटरिंग ग्लास सब्सट्रेट के आकार और उपयोग के वातावरण के आधार पर, मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य की शुद्धता 99.99% ~ 99.999% या इससे भी अधिक होनी आवश्यक है। मोलिब्डेनम स्पटरिंग लक्ष्य स्पटरिंग में कैथोड स्रोत के रूप में कार्य करता है। ठोस में अशुद्धियाँ और छिद्रों में ऑक्सीजन और जल वाष्प जमा फिल्मों के लिए प्रदूषण के मुख्य स्रोत हैं। इसके अलावा, इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में, क्षार धातु आयन (Na+.K+) आसानी से इन्सुलेशन परत में मोबाइल आयन बन जाते हैं, जिससे घटकों का प्रदर्शन कम हो जाता है; यूरेनियम (यू) और टाइटेनियम (टीआई) जैसे तत्व किरणें छोड़ सकते हैं, जिससे उपकरण नरम रूप से खराब हो सकता है; लौह और निकल आयन इंटरफ़ेस रिसाव और ऑक्सीजन तत्वों में वृद्धि का कारण बनेंगे। इसलिए, विशेष मोलिब्डेनम लक्ष्य की तैयारी प्रक्रिया के दौरान, लक्ष्य में उनकी सामग्री को कम करने के लिए इन अशुद्धता तत्वों को सख्ती से नियंत्रित करने की आवश्यकता होती है।
· घनत्व
स्पटरिंग कोटिंग प्रक्रिया के दौरान, जब कम सघन स्पटरिंग लक्ष्य पर बमबारी की जाती है, तो लक्ष्य के आंतरिक छिद्रों में गैस अचानक निकल जाती है, जिससे आकाशीय आकार के लक्ष्य कण या कण छिटक जाते हैं, या फिल्म निर्माण के बाद फिल्म सामग्री पर द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों द्वारा बमबारी की जाती है। कण उड़ जाते हैं. इन कणों की उपस्थिति फिल्म की गुणवत्ता को ख़राब कर देती है। लक्ष्य सामग्री में ठोस शुष्क छिद्रों को कम करने और फिल्म के प्रदर्शन में सुधार करने के लिए, स्पटरिंग लक्ष्य सामग्री में आमतौर पर उच्च घनत्व की आवश्यकता होती है। शंकु स्पटरिंग लक्ष्यों के लिए, उनका सापेक्ष घनत्व 98% से ऊपर होना चाहिए।
· लक्ष्य और चेसिस बाइंडिंग
विशेष मोलिब्डेनम लक्ष्य को स्पटरिंग से पहले ऑक्सीजन मुक्त तांबे (या एल्यूमीनियम और अन्य सामग्री) चेसिस से जोड़ा जाना चाहिए, ताकि स्पटरिंग प्रक्रिया के दौरान लक्ष्य और चेसिस अच्छी तापीय और विद्युत चालकता का संचालन कर सकें। बाइंडिंग के बाद, इसे यह सुनिश्चित करने के लिए अल्ट्रासोनिक निरीक्षण से गुजरना होगा कि दोनों 2% तक संयुक्त नहीं हैं। केवल इस तरह से यह बिना गिरे प्राकृतिक ऊर्जा स्पटरिंग की आवश्यकताओं को पूरा कर सकता है।
·अनाज का आकार और आकार वितरण
आमतौर पर विशेष मोलिब्डेनम लक्ष्य में एक पॉलीक्रिस्टलाइन संरचना होती है, और अनाज का आकार माइक्रोन से लेकर मिलीमीटर तक हो सकता है। प्रायोगिक अनुसंधान से पता चलता है कि महीन {1}आकार के अनाज वाले लक्ष्यों की फायरिंग दर मोटे {{2}आकार के अनाज वाले लक्ष्यों की तुलना में तेज़ होती है; और छोटे अनाज के आकार के अंतर वाले लक्ष्य, जमा फिल्म की मोटाई का वितरण भी अधिक समान है।
· क्रिस्टल अभिविन्यास
क्योंकि स्पटरिंग के दौरान लक्ष्य परमाणु आसानी से परमाणुओं की निकटतम हेक्सागोनल व्यवस्था की दिशा में आसानी से बाहर निकल जाते हैं, इसलिए उच्चतम स्पटरिंग दर प्राप्त करने के लिए, लक्ष्य की क्रिस्टल संरचना को बदलकर स्पटरिंग दर अक्सर बढ़ जाती है। लक्ष्य की क्रिस्टलोग्राफिक दिशा भी थूक वाली फिल्म की मोटाई की एकरूपता पर बहुत प्रभाव डालती है। इसलिए, एक निश्चित क्रिस्टलीय अभिविन्यास लक्ष्य संरचना प्राप्त करना पतली फिल्म स्पटरिंग प्रक्रिया के लिए महत्वपूर्ण है।
उत्पाद विशिष्टताएँ
दिशानिर्देश:
जीबी/टी3876-83, जीबी/टी14592-93, क्यूजे/बीएचजेड02.68-89
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फ़े |
नी |
अल |
सी |
कै |
मिलीग्राम |
P |
C |
O |
N |
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0.006 |
0.003 |
0.002 |
0.003 |
0.002 |
0.002 |
0.001 |
0.010 |
0.006 |
0.003 |
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सामग्री |
शुद्ध मोलिब्डेनम (99.95%) |
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सतह |
32 मिमी तक जमीन |
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आकार |
प्लेट, पन्नी, शीट, डिस्क, रॉड, ट्यूब, क्रूसिबल; |
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प्रक्रिया |
फोर्जिंग-सिंटरिंग-पीसना |
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DIMENSIONS |
Thickness >2 मिमी, चौड़ाई<500mm, Length <1000mm. |
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आवेदन |
इलेक्ट्रॉनिक उद्योग |
उत्पाद अनुप्रयोग
फ्लैट पैनल डिस्प्ले (एफपीडी)
वायरिंग, मैट्रिक्स लाइन इलेक्ट्रोड और टीएफटी में बैरियर लेयर्स के लिए आदर्श। इसके अलावा पर्यावरण संरक्षण पर भी विचार किया जाना चाहिए। मोलिब्डेनम में क्रोमियम के विशिष्ट प्रतिबाधा और फिल्म तनाव का केवल 1/2 लाभ है, और कोई पर्यावरणीय प्रदूषण समस्या नहीं है, इसलिए यह फ्लैट पैनल डिस्प्ले के लिए स्पटरिंग लक्ष्य के लिए पसंदीदा सामग्रियों में से एक बन गया है।
सेमीकंडक्टर और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक पैकेजिंग
जैसे-जैसे सेमीकंडक्टर विनिर्माण नोड्स सिकुड़ते जा रहे हैं, मोलिब्डेनम और इसके विशेष मिश्र धातु (जैसे Mo-Ti और Mo-Nb) तेजी से प्रसार बाधाओं, गेट इलेक्ट्रोड, संपर्क धातु परतों और एकीकृत सर्किट (ICs), पावर सेमीकंडक्टर उपकरणों और MEMS में कैपिंग परतों के रूप में तैनात हो रहे हैं। ढांकता हुआ सामग्री और तांबे या एल्यूमीनियम इंटरकनेक्ट लाइनों के बीच स्थित, मोलिब्डेनम परत हानिकारक परमाणु प्रवासन और इंटरफेशियल प्रतिक्रियाओं को प्रभावी ढंग से रोकती है।
फोटोवोल्टिक और पतले -फ़िल्म सौर सेल
मोलिब्डेनम च्लोकोपाइराइट में सार्वभौमिक रूप से स्वीकृत बैक संपर्क इलेक्ट्रोड परत के रूप में कार्य करता है, विशेष रूप से कॉपर इंडियम गैलियम सेलेनाइड (सीआईजीएस) और कैडमियम टेलुराइड (सीडीटीई) कोशिकाओं में। बैक संपर्क के रूप में, थूकदार मोलिब्डेनम परत को आक्रामक, उच्च तापमान सेलेनाइजेशन या सल्फ्यूराइजेशन प्रसंस्करण के दौरान रासायनिक रूप से निष्क्रिय रहते हुए अवशोषक परत के साथ एक विश्वसनीय ओमिक संपर्क बनाना चाहिए।
कम -ई ग्लास और स्मार्ट कार्यात्मक कोटिंग्स
बड़े पैमाने पर इनलाइन मैग्नेट्रोन स्पटरिंग आधुनिक वास्तुशिल्प और ऑटोमोटिव ग्लास की थर्मल और ऑप्टिकल विशेषताओं को व्यवस्थित करने के लिए शुद्ध मोलिब्डेनम के साथ-साथ मोलिब्डेनम {{1} नाइओबियम (Mo - Nb) और मोलिब्डेनम {{3} क्रोमियम (Mo - Cr) मिश्र धातु का उपयोग करता है। निम्न -उत्सर्जन (निम्न-ई) कांच के ढेरों में, मोलिब्डेनम परत एक महत्वपूर्ण अवरोधक, बीजारोपण, या बलिदान बाधा के रूप में कार्य करती है जिसे गंभीर उच्च तापमान वाले कांच के टेम्परिंग और झुकने की प्रक्रियाओं के दौरान अल्ट्रा{8}पतली चांदी (एजी) अवरक्त {{9}प्रतिबिंबित परत को ऑक्सीकरण से बचाने के लिए डिज़ाइन किया गया है।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न: आपकी डिलीवरी का समय कितना है?
उ: मानक-आकार के डिस्क या आयताकार लक्ष्य आम तौर पर 2-3 सप्ताह के भीतर भेज दिए जाते हैं। कस्टम कॉन्फ़िगरेशन, बड़े घूमने योग्य लक्ष्य, या इंडियम बॉन्डिंग की आवश्यकता वाली असेंबली में आमतौर पर 4-5 सप्ताह लगते हैं।
प्रश्न: आप अपने लक्ष्यों की शुद्धता और गुणवत्ता को कैसे नियंत्रित करते हैं?
उत्तर: हम कच्चे माल के पाउडर से लेकर गुणवत्ता का प्रबंधन करते हैं। प्रत्येक बैच रासायनिक संरचना परीक्षण और अनाज आकार विश्लेषण से गुजरता है। अंतिम उत्पादों को एक व्यापक विश्लेषण प्रमाणपत्र (सीओए) प्राप्त होता है जिसमें जीडीएमएस अशुद्धता परीक्षण परिणाम और संरचनात्मक अखंडता के लिए अल्ट्रासोनिक परीक्षण (यूटी) रिपोर्ट शामिल होती है।
प्रश्न: क्या आप Mo-Ti या Mo{1}}Nb जैसे मिश्रधातु लक्ष्य प्रदान कर सकते हैं?
उत्तर: हाँ. हम बाइनरी और बहु{{1}घटक मोलिब्डेनम मिश्रधातु (उदाहरण के लिए, Mo{{4}Ti 50/50 wt%, Mo{7}}Nb 90/10% पर) में विशेषज्ञ हैं। हमारी मालिकाना पाउडर सम्मिश्रण तकनीक चरण पृथक्करण को रोकती है, जिससे संपूर्ण लक्ष्य मात्रा में बिल्कुल समान संरचना सुनिश्चित होती है।
प्रश्न: क्या आप एक नमूना प्रदान कर सकते हैं?
उत्तर: बेशक, हम आपकी आवश्यकताओं के अनुसार आपके परीक्षण के लिए नि:शुल्क नमूने भेज सकते हैं, आपको केवल शिपिंग की एक छोटी राशि का भुगतान करना होगा।
प्रश्न: MOQ क्या है?
उत्तर: यह उत्पाद एक अनुकूलित उत्पाद है, जो आम तौर पर चित्र के अनुसार प्रदान किया जाता है। यदि आप पहले नमूने का परीक्षण करना चाहते हैं, तो हम स्टॉक आकार के अनुसार कर सकते हैं, 1 टुकड़ा भी उपलब्ध है।
प्रश्न: आपके पास किस प्रकार के प्रमाणपत्र हैं?
उत्तर: हमारे पास ISO 9001, CE और बहुत कुछ है। कृपया अतिरिक्त जानकारी के लिए सीधे हमारे बिक्री स्टाफ से संपर्क करें।
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शानक्सीEHISEN प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेडएक प्रमुख निर्माता है जो 20 वर्षों से अधिक गहन उद्योग विशेषज्ञता के साथ उच्च प्रदर्शन वाली दुर्दम्य धातुओं और उन्नत कोटिंग्स में विशेषज्ञता रखता है। द्वारा समर्थित15+ राष्ट्रीय पेटेंटऔर एक सख्त ISO 9001 गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली के साथ, हम वैश्विक स्तर पर 520 से अधिक ग्राहकों को कस्टम इंजीनियर्ड लक्ष्य सामग्री वितरित करते हैं।
हमारी अत्याधुनिक {{1}'' कला सुविधा कच्चे माल के पाउडर की तैयारी और कॉम्पैक्टिंग से लेकर सिंटरिंग, रोलिंग, मशीनिंग और बैकिंग प्लेट बॉन्डिंग तक पूरी उत्पादन श्रृंखला को एकीकृत करती है। सहित उन्नत परीक्षण उपकरणों से सुसज्जितजीडीएमएस(ग्लो डिस्चार्ज मास स्पेक्ट्रोमेट्री) सूक्ष्म अशुद्धियों के लिए,अल्ट्रासोनिक सी-स्कैनअखंडता को जोड़ने के लिए, औरमेटलोग्राफिक माइक्रोस्कोपअनाज के आकार के विश्लेषण के लिए, EHISEN भेजे गए प्रत्येक बैच के लिए 100% ट्रैसेबिलिटी और विशिष्ट प्रदर्शन की गारंटी देता है।
पैकिंग डिलिवरी
पैकिंग का विवरण: परीक्षण के बाद, पात्र उत्पादों को निर्यात पैकेजिंग के अनुसार या बाहर लकड़ी के बक्से के अंदर नरम कागज के साथ पैक किया जाएगा।
डिलिवरी सूचना: डिलिवरी के 3-15 कार्य दिवसों के बाद; टाइटेनियम बॉल को अत्यधिक सावधानी, सावधानी और सुरक्षा के साथ पैक किया जाता है।
आपके लिए, हम एक्सप्रेस, हवाई और समुद्री शिपिंग के बीच सबसे समीचीन, किफायती और सुरक्षित शिपिंग विधि का चयन करेंगे।
डिलीवरी से पहले, हमारे ग्राहक हमारी पेशकश से संतुष्ट होने के बाद तैयार उत्पादों की तस्वीरें, पैकेजिंग पर जानकारी और एमटीसी प्राप्त करेंगे। हम समय पर सामान वितरित करेंगे। आपके द्वारा देखी गई छवियां माल का सटीक चित्रण करती हैं।
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